金融界2024年12月26日音讯，国家知识产权局信息数据显现，湖南三安半导体有限责任公司请求一项名为“功率器材”的专利，公开号CN 119181726 A，请求日期为2024年11月。

　　专利摘要显现，本请求供给的功率器材，在有源区内，半导体外延片包含沿底部到顶部方向替换层叠设置的多个榜首外延层以及多个第二外延层；第二外延层包含多个榜首掺杂区和多个第二掺杂区；榜首外延层和榜首掺杂区为榜首导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器材反偏，榜首掺杂区和第二掺杂区构成耗尽区，以此能添加器材在反偏时半导体外延片接受的耐压，且进一步设置相邻两个第二外延层中的多个榜首掺杂区在衬底上的投影不完全堆叠，可以添加电流途径长度，进一步地添加器材在反偏时半导体外延片接受的耐压。